ในไดโอด Schottky รอยต่อเซมิคอนดักเตอร์–โลหะถูกสร้างขึ้นระหว่างเซมิคอนดักเตอร์กับโลหะ ทำให้เกิดกำแพงชอตต์กี้ เซมิคอนดักเตอร์ชนิด N ทำหน้าที่เป็นขั้วลบและด้านโลหะทำหน้าที่เป็นขั้วบวกของไดโอด อุปสรรค Schottky นี้ส่งผลให้ทั้งแรงดันตกคร่อมต่ำและการสลับที่รวดเร็วมาก
วัตถุประสงค์ของไดโอด Schottky คืออะไร
Schottky diodes ใช้สำหรับ แรงดันไฟต่ำ เวลาพักฟื้นเร็ว และพลังงานสูญเสียต่ำที่ความถี่สูง ลักษณะเฉพาะเหล่านี้ทำให้ไดโอด Schottky สามารถแก้ไขกระแสได้โดยอำนวยความสะดวกในการเปลี่ยนอย่างรวดเร็วจากสถานะการดำเนินการเป็นสถานะการปิดกั้น
Schottky diode ทำงานอย่างไรใน forward bias
Forward Biased Schottky Diode
บนไดโอด เมื่อแรงดันไบแอสไปข้างหน้า ถูกนำไปใช้ อิเล็กตรอนจำนวนมากขึ้นจะก่อตัวขึ้นในโลหะและตัวนำ เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้าที่มากกว่า 0.2 โวลต์ อิเล็กตรอนอิสระจะไม่สามารถเคลื่อนที่ผ่านสิ่งกีดขวางทางแยกได้ เนื่องจากกระแสนี้จะไหลผ่านไดโอด
คุณใช้ Schottky diode ในวงจรอย่างไร
วงจรด้านซ้ายมีไดโอดแบบธรรมดา วงจรด้านขวาคือไดโอด Schottky ทั้งสองใช้พลังงานจากแหล่งจ่าย 2V DC ไดโอดแบบธรรมดากินไฟ 0.7V เหลือเพียง 1.3V เพื่อจ่ายไฟให้กับโหลด ด้วยแรงดันตกคร่อมที่ต่ำกว่า ไดโอด Schottky กินไฟเพียง 0.3V เหลือ 1.7V ไว้สำหรับจ่ายไฟให้กับโหลด
เมื่อ Schottky diode มีความเอนเอียงไปข้างหน้า
เมื่อลำเอียงไปข้างหน้า การนำผ่านทางแยกจะไม่เริ่มต้นจนกว่าแรงดันไบแอสภายนอกจะถึง "แรงดันเข่า" ณ จุดที่กระแสจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และสำหรับซิลิคอนไดโอด แรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการนำไปข้างหน้าที่จะเกิดขึ้นอยู่ที่ประมาณ0.65 ถึง 0.7 โวลต์ ตามที่แสดง